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集成化的VMOS栅极驱动器件基本特点
集成化的栅极驱动器件 在理论上，集成化的栅极驱动器件的应用更为普遍。用于VMOS驱动的集成化器件大致有图5. 84所示的几类，它们的基本特性如表5.9所示。 选用集成化的mos栅极驱动器件的普通方法如www.kiaic.com/article/detail/383.html 2018-03-27
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场效应管是什么样的元器件，以及全控制型晶体管有哪几大类
目前，曾经适用化的全控型晶体管大致有这么几大类：BJT、FET、IGBT,GTO(Gatc Turn-Off Thyristor，可关断晶闸管）、1GCT (Integrated Gatc-Com-mutated Thyristor，集成门极单向晶闸管)。IGBT、GTO、IGCT -般只用于电流开关放大，即大功带领域，而不会用于小信...www.kiaic.com/article/detail/392.html 2018-03-27
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mos管栅极、源极放大电路是否会出现电压的变动
栅极接地放大电路如表3.1所示，所谓栅极接地放大电路，就是在栅极固定为一定电位的状态下，输入信号加到源极上，从漏极取出输出信号的电路。当图3.5所示的栅极接地放大电路的源极电位（输入端）上升νin时，栅极—源极间电压www.kiaic.com/article/detail/395.html 2018-03-27
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模拟cmos集成电路设计 CMOS电路最常用的是什么电路-涨知识
基本电流源电路偏置电路有两种，即电流偏置电路和电压偏置电路。设计CMOS模拟电路时最常用的是电流偏置电路。这是由于MOS晶体管的跨导gm和输出电阻ro是决定电路工作（放大增益和频率特性）的基本参数，如式(7.1)所示，这一点可以用电流I简单www.kiaic.com/article/detail/398.html 2018-03-27
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小信号参数MOS晶体管的工作区域是否会有什么变化,小信号参数是什么
在强反型状态下饱和区中的工作小信号参数的值因MOS晶体管的工作区域而变化。假定MOS晶体管处于VGS比阈值电压VT高得多的强反型状态，而且工作在饱和区，求这种状况下的小信号参数。应用第1章的式(1.18)，可将跨导gm表示如下www.kiaic.com/article/detail/400.html 2018-03-27
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cmos管和晶体管的接口作以接口说明以及详解
CMOS电路的最末级，通常是用显现器显现，或者介入继电器控制大电流，或者向远处传送信号等，很少没有不借助晶体管的。但是，在与这个晶体管接口时的困难不测地多。例如，由于与晶体管的基极连接的电阻过于小，从CMOS引出过大电流；或者电阻过大，使晶体管无法驱...www.kiaic.com/article/detail/409.html 2018-03-27
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CMOS的输入输出特性这两个有什么特征以及有什么需要注意的地方
CMOS器件的输入等效电路（以F写作输入电路）以及输入电流—输入电压特性。CMOS的输入端附加有防静电和外来浪涌进入输入栅极的维护电路。CMOS的输入栅极电阻是几十MQ以上的高电阻（高阻抗），所以实践的输入特性看到的是维护电路的特性。CMOS输入电路（维护电路...www.kiaic.com/article/detail/411.html 2018-03-27
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CMOS噪声余量是由输出振幅的最小值与输入信号最小必要的振幅之差来做定义
噪声余量大数IC的噪声余量由输出振幅的最小值与输入信号最小必要的振幅之差来定义。这个差值越大，关于由电源/GND线或由信号线产生的突发噪声来说，越不容易惹起误动作。作为规范逻辑IC，与目前运用较多的双极型TTL相www.kiaic.com/article/detail/413.html 2018-03-27
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mos串联是为理解决电压规格不够的问题，与VMOS的并联相似的
串联(SeriesConnection)是为理解决电压规格不够的问题，与VMOS的并联相似，我们这里所说的电压规格不够用，指的是即使是采用多管电路拓扑也难以满足需求时，如全桥、三相全桥等电路拓扑。与VMOS并联稍有不同的是，多电平变换应该优先于多管（模块）的串联应用。...www.kiaic.com/article/detail/414.html 2018-03-27
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CMOS构成AB级输出电路的办法以及CMOS AB级输出电路的结构
例用CMOS构成AB级输出电路的办法。输出晶体管M1和M2两个栅极间并联衔接着n沟MOS晶体管M3和p沟MOS晶体管M4，加偏置电流Ibias并使ID3+ID4=Ibias。而且，M3和M4的栅极分别加偏置电压Vbias1和Vbias2。假如输入电压Vin降落，那么M3的栅极—源极间电压VGS3增加，流过...www.kiaic.com/article/detail/416.html 2018-03-27
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CMOS电路的输入阻抗高有利于并行连接多个器件？
由于栅氧化膜与硅衬底绝缘，所以CMOS的输入具有十分高的输入阻抗。实践的CMOS器件中，输入级装备有维护电路（维护二极管或维护MOS晶体管），这些器件通常是反向偏置的，所以具有几十MQ以上的输入阻抗。不沦怎样，与双极IC相比，具有十分高的输入阻抗。www.kiaic.com/article/detail/417.html 2018-03-27
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3306B现货供应商 KIA3306B 80A/60V PDF参数资料-KIA mos管
KNB3308BA N沟道 MOSFET 80A /60V TO-252、263封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管（MOSFET）、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发...www.kiaic.com/article/detail/759.html 2018-03-27
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2803现货供应商 KIA280 150A/30V PDF文件 2803参数资料-KIA mos管
KIA2803A N沟道 MOSFET 150A /30V TO-220、263封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管（MOSFET）、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发...www.kiaic.com/article/detail/758.html 2018-03-27
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2404A mos现货供应商 KIA2404A 190A/40V PDF文件资料-KIA mos管
KIA2404A N沟道 MOSFET 190A /40V TO-220、247封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管（MOSFET）、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发...www.kiaic.com/article/detail/757.html 2018-03-27